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介電常數(shù)試驗(yàn)儀介質(zhì)損耗測試儀

發(fā)布時(shí)間:  2024-08-12

產(chǎn)品型號:  gdat-a

產(chǎn)品報(bào)價(jià):  

廠商性質(zhì):  生產(chǎn)廠家

所  在  地:  北京市海淀區(qū)上地科技園上地十街1號

產(chǎn)品特點(diǎn):  介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗(yàn)儀滿足標(biāo)準(zhǔn):GBT 1409-2006測量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻(包括米波波長在內(nèi))下電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的推薦方法

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產(chǎn)品概述


介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗(yàn)儀滿足標(biāo)準(zhǔn):GBT 1409-2006測量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻(包括米波波長在內(nèi))下電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的推薦方法
一、介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗(yàn)儀概述

GDAT高頻 Q 表作為一代的通用、多用途、多量程的阻抗測試儀器,測試頻率上限達(dá)到目前高的160MHz。 


 
  主要技術(shù)特性  
Q 值測量范圍  2 ~ 1023 , 量程分檔: 30 、 100 、 300 、 1000 ,自動(dòng)換檔或手動(dòng)換檔  
固有誤差  ≤ 5 % ± 滿度值的 2 %( 200kHz ~ 10MHz ), ≤6% ± 滿度值的2%(10MHz~160MHz)  
工作誤差  ≤7% ± 滿度值的2% ( 200kHz ~ 10MHz ), ≤8% ± 滿度值的2%(10MHz~160MHz)  
電感測量范圍  4.5nH ~ 140mH  
電容直接測量范圍  1 ~ 200pF  
主電容調(diào)節(jié)范圍  18 ~ 220pF  
主電容調(diào)節(jié)準(zhǔn)確度  100pF 以下 ± 1pF ; 100pF 以上 ± 1 %  
信號源頻率覆蓋范圍  100kHz ~ 160MHz  
頻率分段 ( 虛擬 )  100 ~ 999.999kHz , 1 ~ 9.99999MHz,10 ~ 99.9999MHz , 100 ~ 160MHz  
頻率指示誤差  3 × 10 -5 ± 1 個(gè)字  

搭配了全新的介質(zhì)損耗裝置與GDAT系列q表搭配使用
一 . 概述

BD916介質(zhì)損耗測試裝置與本公司生產(chǎn)的各款高頻Q表配套,可用于測量絕緣材料的介電常數(shù)和介質(zhì)損耗系數(shù)(損耗角正切值)。
BD916介質(zhì)損耗測試裝置是BD916914的換代產(chǎn)品,它采用了數(shù)顯微測量裝置,因而讀數(shù)方便,數(shù)據(jù)精確。
測試裝置由一個(gè)LCD數(shù)字顯示微測量裝置和一對間距可調(diào)的平板電容器極片組成。
平板電容器極片用于夾持被測材料樣品,微測量裝置則顯示被測材料樣品的厚度。
BD916介質(zhì)損耗測試裝置須配用Q表作為調(diào)諧指示儀器,通過被測材料樣品放進(jìn)平板電容器和不放進(jìn)樣品時(shí)的Q值變化,測得絕緣材料的損耗角正切值。
從平板電容器平板間距的讀值變化則可換算得到絕緣材料介電常數(shù)。 


BD916介質(zhì)損耗測試裝置技術(shù)特性 

平板電容器: 極片尺寸:Φ50mm/Φ38mm 可選  
極片間距可調(diào)范圍:≥15mm 
2. 夾具插頭間距:25mm±0.01mm 
3. 夾具損耗正切值≤4×10-4 (1MHz) 
4.測微桿分辨率:0.001mm
 
電感:
 
線圈號    測試頻率    Q值    分布電容p       電感值  
  9         100KHz      98       9.4           25mH
  8         400KHz     138       11.4        4.87mH
  7         400KHz    202       16           0.99mH
  6           1MHz     196       13          252μH
  5           2MHz     198       8.7        49.8μH
  4         4.5MHz    231       7             10μH 
  3          12MHz      193     6.9         2.49μH
  2          12MHz      229     6.4        0.508μH             
  1   25MHz,50MHz   233,211    0.9       0.125μH

GDAT高頻 Q 表采用了多項(xiàng)技術(shù):

雙掃描技術(shù) - 測試頻率和調(diào)諧電容的雙掃描、自動(dòng)調(diào)諧搜索功能。 
雙測試要素輸入 - 測試頻率及調(diào)諧電容值皆可通過數(shù)字按鍵輸入。 
雙數(shù)碼化調(diào)諧 - 數(shù)碼化頻率調(diào)諧,數(shù)碼化電容調(diào)諧。 
自動(dòng)化測量技術(shù) -對測試件實(shí)施 Q 值、諧振點(diǎn)頻率和電容的自動(dòng)測量。 
全參數(shù)液晶顯示 – 數(shù)字顯示主調(diào)電容、電感、 Q 值、信號源頻率、諧振指針。 
DDS 數(shù)字直接合成的信號源 -確保信源的高葆真,頻率的高精確、幅度的高穩(wěn)定。 
計(jì)算機(jī)自動(dòng)修正技術(shù)和測試回路*化 —使測試回路 殘余電感減至zui低,** Q 讀數(shù)值在不同頻率時(shí)要加以修正的困惑。 
gdat高頻Q表的創(chuàng)新設(shè)計(jì),無疑為高頻元器件的阻抗測量提供了*的解決方案,它給從事高頻電子設(shè)計(jì)的工程師、科研人員、高校實(shí)驗(yàn)室和電子制造業(yè)提供了更為方便的檢測工具
,測量值更為精確,測量效率更高。使用者能在儀器給出的任何頻率、任意點(diǎn)調(diào)諧電容值下檢測器件的品質(zhì),無須關(guān)注量程和換算單位。

介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗(yàn)儀概述
介質(zhì)損耗和介電常數(shù)是各種電瓷、裝置瓷、電容器等陶瓷,還有復(fù)合材料等的一項(xiàng)重要的物理性質(zhì),通過測定介質(zhì)損耗角正切tanδ及介電常數(shù)(ε),可進(jìn)一步了解影響介質(zhì)損耗和介電常數(shù)的各種因素,為提高材料的性能提供依據(jù);儀器的基本原理是采用高頻諧振法,并提供了,通用、多用途、多量程的阻抗測試。它以單片計(jì)算機(jī)作為儀器的控制,測量核心采用了頻率數(shù)字鎖定,標(biāo)準(zhǔn)頻率測試點(diǎn)自動(dòng)設(shè)定,諧振點(diǎn)自動(dòng)搜索,Q值量程自動(dòng)轉(zhuǎn)換,數(shù)值顯示等新技術(shù),改進(jìn)了調(diào)諧回路,使得調(diào)諧測試回路的殘余電感減至zui低,并保留了原Q表中自動(dòng)穩(wěn)幅等技術(shù),使得新儀器在使用時(shí)更為方便,測量值更為精確。儀器能在較高的測試頻率條件下,測量高頻電感或諧振回路的Q值,電感器的電感量和分布電容量,電容器的電容量和損耗角正切值,電工材料的高頻介質(zhì)損耗,高頻回路有效并聯(lián)及串聯(lián)電阻,傳輸線的特性阻抗等。
該儀器用于科研機(jī)關(guān)、學(xué)校、工廠等單位對無機(jī)非金屬新材料性能的應(yīng)用研究。


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主營產(chǎn)品:電壓擊穿試驗(yàn)儀,介電常數(shù)介質(zhì)損耗測試儀,體積表面電阻率測試儀,海綿泡沫落球回彈試驗(yàn)儀,介電常數(shù)測試儀,體積電阻率測試儀,海綿泡沫壓陷硬度試驗(yàn)儀,介電擊穿強(qiáng)度試驗(yàn)儀,橡膠塑料滑動(dòng)摩擦磨損試驗(yàn)機(jī),耐電弧試驗(yàn)儀,毛細(xì)管流變儀,自動(dòng)進(jìn)樣器,電氣強(qiáng)度試驗(yàn)機(jī),歡迎來電咨詢。
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